Pracownia CVD

Pracownia chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD-Chemical Vapour Deposition) wyposażona jest w wielomodułowy system MWCVD-RFCVD skonstruowany przez firmę Elettrorava. Aparatura służy do nanoszenia warstw związków kowalencyjnych, jonowo-kowalencyjnych, a także metalicznych na różnorodne podłoża. Dzięki aktywowaniu reakcji chemicznych w fazie gazowej polami fizycznymi o różnych częstotliwościach, temperatura procesu może być znacznie obniżona, co umożliwia otrzymywanie warstw na podłoża o niskiej temperaturze topnienia np. polimerach.

W komorze MWCVD (Microwave Chemical Vapour Deposition) istnieje możliwość podgrzania próbki do temperatury 1500⁰C. Do ściany komory procesowej przymocowany jest generator mikrofal o częstotliwości 2,45 GHz i mocy 2 kW.

Proces nanoszenia warstw może odbywać się na powierzchni o maksymalnych rozmiarach 100 mm x 100 mm, przy ciśnieniu od 10^-4 do 5000 Tr (mbar). Układ pompujący stanowią dwie pompy – rotacyjna, pompująca z szybkością około 40 m³/h i pompa Roots’a o wydajności 250 m³/h.

Źródłem fal radiowych w komorze procesowej RFCVD (Radio Frequency Chemical Vapour Deposition) jest generator fal radiowych o częstotliwości 13,56 MHz i mocy 300 W. Maksymalna temperatura podkładki krystalizacji wynosi 400 ⁰C. System pompujący składa się z pompy rotacyjnej oraz pompy turbomolekularnej, pompującej z szybkością 300 m³/sec. Przy pomocy pompy turbomolekularnej można osiągnąć w komorze próżnię o ciśnieniu rzędu 10^-9 Tr.

Do systemu podłączone są następujące linie gazowe: SiH₄, NH₃, CH₄, N₂, H₂ ,Ar, He.

W laboratorium Chemicznego Osadzania z Fazy Gazowej prowadzone są badania nad otrzymywaniem trudnotopliwych związków: SiC, Si₃N₄, warstw diamentopodobnych, a-C:N:H, a-Si:N:H, a-Si:C:H, a-Si:C:N:H.